Nanostrukturierung mittels Rasterkraftmikroskopie und ElektrochemieChristian Obermair
Taschenbuch
Die Nanotechnologie ist ein hochaktuelles Gebiet der Forschung, da durch nanoskalige Komponenten neue Funktionalitäten entstehen, die eine Vielzahl neuer Anwendungsgebiete eröffnen [1]. Will man sich bei Untersuchungen auf diesem Gebiet nicht nur auf in der Natur vorkommende Nanostrukturen beschränken, wie man sie z. B. aus der Biologie ( Biologische Selbstorganisation, D N A, Lotus-Effekt [2]) kennt, so braucht man Methoden, um diese Strukturen auf der Nanometerskala gezielt herstellen zu können. Ein Beispiel dafür ist die Herstellung von Nanostrukturen durch selbstorganisierte Kristallitanordnungen [3]. Mit Methoden der Selbstorganisation ist es durchaus möglich, sehr viele Strukturen mit Abmessungen im Bereich weniger Nanometer in einem Arbeitsgang zu erzeugen. Jedoch können auf diesem Wege keine individuellen, frei wählbaren Nanostrukturen hergestellt werden. Einen flexibleren Ansatz bietet die Elektronenstrahllithographie [4], die es ermöglicht, frei wählbare - in der Regel laterale - Strukturen auf Oberflächen zu erzeugen. Ein großer Vorteil liegt dabei in der Kompatibilität mit sehr gut verstandenen Prozessen der Halbleitertechnologie und der Möglichkeit, Strukturen flexibel mit Abmessungen über mehrere Größenordnungen hinweg zu erzeugen. Bei komplexen Strukturen ist man mittlerweile bei Größen, z. B. bei Metallbahnbreiten, von 20 nm angelangt, bei der Herstellung von Einzelstrukturen (einzelne Leiterbahn oder Metallinsel) bei weniger als 10 nm [5]. Die Elektronenstrahllithographie ist allerdings ein sehr aufwendiges technisches Verfahren: So muss zunächst eine aus einem Kunststoff bestehende Maske erzeugt werden, die in mehreren Prozessen - Entwickeln der Maske, Übertragen der Strukturen durch Ätzen, Entfernen des Maskenmaterials - auf das eigentliche Material (z. B. Metalle oder Halbleiter) übertragen wird.
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